Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Tout
  • Tout
  • Tit
Lang

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

 [Guangdong,China]

Kalite biznis:Manufacturer , Trade Company

Deskripsyon:DDR4 8GB memwa,DDR4 8GB memwa modil,8GB 2666MHz 288-PIN DDR4 UDIMM

HomePwodwi yoEndistriyèl Smart Modil Pwodwi pou TelefònDDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
  • DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
  • DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
  • DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
  • DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
  • DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon

DDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon

Kalite peman:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,CIF,EXW
Min. Lòd:
1 Piece/Pieces
Transpòtasyon:
Ocean,Land,Air,Express
Kontakte kounye a
Share:
Chat kounye a
  • Deskripsyon Product
< >
Overview
Atribi pwodwi yo

Modèl Pa gen.: NS08GU4E8

Kapasite Pwovizyon pou & Lòt Enfòmasyo...

Transpòtasyon: Ocean,Land,Air,Express

Kalite peman: L/C,T/T,D/A

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Anbalaj & akouchman
Vann Inite:
Piece/Pieces

8GB 2666MHz 288-PIN DDR4 UDIMM



Istwa Revizyon

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

Kòmann -nan tab enfòmasyon

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS08GU4E8

8GB

2666MHz

1Gx64bit

DDR4 1Gx8 *8



Deskripsyon
Hengstar unbuffered DDR4 SDRAM DIMMS (unbuffered Double Done to synchronous DRAM doub nan-liy modil memwa) yo se pouvwa ki ba, gwo vitès operasyon memwa modil ki sèvi ak aparèy DDR4 SDRAM. NS08GU4E8 se yon 1G x 64-ti jan yon sèl ran 8GB DDR4-2666 CL19 1.2V SDRAM pwodwi DIMM unbuffered, ki baze sou uit 1g x 8-bit konpozan FBGA. SPD a pwograme pou JEDEC estanda latansi DDR4-2666 distribisyon 19-19-19 nan 1.2V. Chak DIMM 288-PIN itilize dwèt kontak lò. Se SDRAM a unbuffered DIMM gen entansyon pou itilize kòm memwa prensipal lè enstale nan sistèm tankou PC yo ak estasyon.

Karakteristik
 Pwovizyon pou: VDD = 1.2V (1.14V pou 1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V pou 1.26V)
VPP - 2.5V (2.375V pou 2.75V)
VDDSPD = 2.25V pou 3.6V
Nominal ak dinamik sou-mouri revokasyon (ODT) pou done, strobe, ak siyal mask
Wow-Power Auto Self Refresh (LPASR)
(Data envèsyon otobis (DBI) pou otobis done
Jenerasyon ak kalibrasyon VREFDQ ak kalibrasyon
-On-tablo I2C seri prezans-detekte (SPD) eeprom
16 bank entèn; 4 gwoup 4 bank chak
(Fixed pete koupe (BC) nan 4 ak pete longè (BL) nan 8 via Mode Rejis Set la (MRS)
 Selectable BC4 oswa BL8 sou-vole a (OTF)
Databus Ekri chèk redondans siklik (CRC)
(Temperature kontwole rafrechi (TCR)
Command/Adrès (CA) égalité
Isper DRAM DRAM se sipòte
8 ti jan pre-chache
-Fly-pa topoloji
Command/Adrès Latans (CAL)
 Kòmand kontwòl ak adrès otobis la
: PCB: Wotè 1.23 "(31.25mm)
Contencted Gid Kontak
rohs konfòme ak halogen-gratis


Kle paramèt distribisyon

MT/s

tCK
(ns)

CAS Latency
(tCK)

tRCD
(ns)

tRP
(ns)

tRAS
(ns)

tRC
(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR4-2666

0.75

19

14.25

14.25

32

46.25

19-19-19

Tab adrès

Configuration

Number of
bank groups

Bank Group
Address

Bank
Address

Row Address

Column
Address

Page size

8GB(1Rx8)

4

BG0-BG1

BA0-BA1

A0-A15

A0-A9

1 KB



Dyagram blòk fonksyonèl

8GB, 1GX64 Modil (1Rank nan x8)

2-1

Remak:
1. Otherwize san yo pa te note, valè rezistans yo se 15Ω ± 5%.
2.ZQ rezistans yo se 240Ω ± 1%.Pou tout lòt valè rezisteur refere a dyagram nan fil elektrik ki apwopriye yo.
3.Event_n se branche sou konsepsyon sa a. Yon SPD otonòm ka itilize tou. Pa gen okenn chanjman fil elektrik ki nesesè.

Evalyasyon maksimòm absoli

Evalyasyon absoli maksimòm DC

Symbol

Parameter

Rating

Units

NOTE

VDD

Voltage on VDD pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VDDQ

Voltage on VDDQ pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VPP

Voltage on VPP pin relative to VSS

-0.3 ~ 3.0

V

4

VIN, VOUT

Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3,5

TSTG

Storage Temperature

-55 to +100

°C

1,2

Remak:
1.Sstrès pi gran pase sa ki nan lis anba "evalyasyon maksimòm absoli" ka lakòz domaj pèmanan nan aparèy la.
Sa a se yon Rating estrès sèlman ak fonksyonèl operasyon nan aparèy la nan sa yo oswa nenpòt ki lòt kondisyon pi wo a sa yo ki endike nan seksyon yo ki operasyonèl nan spesifikasyon sa a pa enplisit. Ekspozisyon nan kondisyon absoli Rating maksimòm pou peryòd pwolonje ka afekte fyab.
2. Tanperati Storage se tanperati ka sifas la sou bò sant/tèt nan DRAM la. Pou kondisyon yo mezi, tanpri al gade JESD51-2 estanda.
3.VDD ak VDDQ dwe nan 300mV youn ak lòt nan tout tan; ak VREFCA dwe pa pi gran pase 0.6 x VDDQ, lè VDD ak VDDQ yo mwens pase 500mV; VREFCA ka egal a oswa mwens pase 300mV.
4.VPP dwe egal oswa pi gran pase VDD/VDDQ nan tout tan.
5.overshoot zòn pi wo a 1.5V se espesifye nan operasyon aparèy DDR4 .

DRAM Component Operating Tanperati Range

Symbol

Parameter

Rating

Units

Notes

TOPER

Normal Operating Temperature Range

0 to 85

°C

1,2

Extended Temperature Range

85 to 95

°C

1,3

Nòt:
1. Operasyon Tanperati Toper se tanperati a sifas ka sou sant la / bò tèt nan DRAM la. Pou kondisyon mezi, tanpri al gade dokiman JEDEC JESD51-2.
2. Ranje tanperati nòmal la espesifye tanperati yo kote tout espesifikasyon DRAM yo pral sipòte. Pandan operasyon an, yo dwe konsève tanperati ka DRAM ant 0 - 85 ° C anba tout kondisyon opere yo.
3. aplikasyon pou kèk mande pou operasyon nan DRAM a nan ranje a tanperati pwolonje ant 85 ° C ak 95 ° C tanperati ka. Espesifikasyon konplè yo garanti nan ranje sa a, men kondisyon sa yo adisyonèl aplike:
a). Kòmandman rafrechi yo dwe double nan frekans, Se poutèt sa diminye entèval la rafrechi TREFI a 3.9 µs. Li posib tou pou presize yon eleman ak 1x rafrechi (TREFI a 7.8µs) nan ranje tanperati pwolonje. Tanpri gade nan DIMM SPD a pou disponiblite opsyon.
b). Si se operasyon pwòp tèt ou-refresh obligatwa nan seri a tanperati pwolonje, Lè sa a, li se obligatwa swa sèvi ak manyèl la pwòp tèt ou-refresh mòd ak pwolonje kapasite ranje tanperati (MR2 A6 = 0B ak MR2 A7 = 1B) oswa pèmèt si ou vle oto-refresh la oto-oto-refresh MODE (MR2 A6 = 1B ak MR2 A7 = 0B).


AC & DC kondisyon opere

Rekòmande DC kondisyon opere

Symbol

Parameter

Rating

Unit

NOTE

Min.

Typ.

Max.

VDD

Supply Voltage

1.14

1.2

1.26

V

1,2,3

VDDQ

Supply Voltage for Output

1.14

1.2

1.26

V

VPP

Supply Voltage for DRAM Activating

2.375

2.5

2.75

V

3

Nòt:
1.Under tout kondisyon VDDQ dwe mwens pase oswa egal a VDD.
2.VDDQ tren ak VDD. Paramèt AC yo mezire ak VDD ak VDDQ mare ansanm.
3.DC Pleasant limite a sa sèlman 20MHz.

Dimansyon modil

View devan

2-2

Tounen gade

2-3

Nòt:
1.Tout dimansyon yo nan milimèt (pous); Max/min oswa tipik (tip) kote te note.
2.Tolerans sou tout dimansyon ± 0.15mm sof si otreman espesifye.
3. Dyagram nan dimansyon se pou referans sèlman.

Pwodwi kategori : Endistriyèl Smart Modil Pwodwi pou Telefòn

Pwodwi cho
Imèl sa a founisè
  • *Sijè:
  • *Pou:
    Mr. Jummary
  • *Imèl:
  • *Mesaj:
    Mesaj ou dwe ant 20-8000 karaktè
Contact Now
HomePwodwi yoEndistriyèl Smart Modil Pwodwi pou TelefònDDR4 UDIMM memwa modil espesifikasyon
Voye enquête
*
*

Kay

Product

Phone

Sou nou

Enquiry
Send Message

Deklarasyon sou vi prive: Konfidansyalite ou trè enpòtan pou nou. Konpayi nou an pwomèt pou nou pa divilge enfòmasyon pèsonèl ou nan nenpòt ki EXPANY ak soti otorizasyon eksplisit ou.

Nou pral kontakte ou imedya

Ranpli plis enfòmasyon pou ki ka jwenn an kontak ak ou pi vit

Deklarasyon sou vi prive: Konfidansyalite ou trè enpòtan pou nou. Konpayi nou an pwomèt pou nou pa divilge enfòmasyon pèsonèl ou nan nenpòt ki EXPANY ak soti otorizasyon eksplisit ou.

Voye atachman
Voye